重大消息：清华大学开发出理想的极紫外（EUV）光刻胶材料

阿财网 7 月 26 日消息，随着集成电路工艺向 7nm 及以下节点不断推进，13.5 nm 波长的 EUV 光刻成为实现先进芯片制造的核心技术。但 EUV 光源反射损耗大、亮度低等特点，对光刻胶...